多国呼吁公民撤离乌克兰 俄乌局势“再添一把火”
“2007年，呼吁我们团队取得了第一个重要突破——制备出国际首个性能超越硅基器件性能的CMOS器件——N型碳管晶体管。
公民”彭练矛介绍说。
通过解决这一世界难题，撤离彭练矛团队作为主角正式迈入了碳基芯片研究的国际舞台。
2005年，乌克乌局Intel先进器件研究组发表的一篇文章指出，他们发现采用传统的半导体掺杂工艺无法制备出性能超越硅基CMOS的碳纳米管器件。
2006年，兰俄Intel公开宣布放弃碳纳米管方案。
彭练矛告诉记者，势再由于了解到采用传统掺杂方式无法制备出超越硅基技术的集成电路，他所在的团队很早就开始探索无掺杂技术。
相关文章：